參數(shù)資料
型號(hào)： ZXMN10B08E6
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
中文描述： 100V的N溝道增強(qiáng)型MOS管
文件頁(yè)數(shù)： 5/7頁(yè)
文件大小： 252K
代理商： ZXMN10B08E6
ZXMN10B08E6
S E M IC O N D U C T O R S
PROVISIONAL ISSUE B - MAY 2003
5
TYPICAL CHARACTERISTICS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZXMN10B08E6TA 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN10B08E6TC 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN2A01E6 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN2A01E6TA 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN2A01E6TC 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZXMN10B08E6_05 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN10B08E6TA 功能描述:MOSFET 100V N-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZXMN10B08E6TC 功能描述:MOSFET 100V N-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZXMN15A27K 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFETs optimised for Voice over Internet Protocol (VoIP)
ZXMN15A27KTC 功能描述:MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 150V N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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