參數(shù)資料
型號： ZXTP19060CFF
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： 60V, SOT23F, PNP medium power transistor
中文描述： 60V的，SOT23F，進(jìn)步黨中功率晶體管
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 449K
代理商： ZXTP19060CFF
ZXTP19060CFF
Issue 1 - May 2007
Zetex Semiconductors plc 2007
2
www.zetex.com
Absolute maximum ratings
NOTES:
(a) For a device surface mounted on 15mm x 15mm x 1.6mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper, in
still air conditions.
(b)Mounted on 25mm x 25mm x 1.6mm FR4 PCB with a high coverage of single sided 2 oz copper in still air conditions.
(c) Mounted on 50mm x 50mm x 1.6mm FR4 PCB with a high coverage of single sided 2 oz copper in still air conditions.
(d)As (c) above measured at t<5secs.
Parameter
Collector-base voltage
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
ECO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
Limit
-60
Unit
V
Collector-emitter voltage
-60
V
Emitter-collector voltage (reverse blocking)
-7
V
Emitter-base voltage
-7
V
Continuous collector current
(c)
Peak pulse current
-4
A
-7
A
Base current
-1
A
Power dissipation at T
amb
=25°C
(a)
Linear derating factor
Power dissipation at T
amb
=25°C
(b)
Linear derating factor
Power dissipation at T
amb
=25°C
(c)
Linear derating factor
Power dissipation at T
amb
=25°C
(d)
Linear derating factor
Operating and storage temperature range
0.84
W
6.72
1.34
mW/°C
W
P
D
10.72
1.5
mW/°C
W
P
D
12
2
mW/°C
W
P
D
16
mW/°C
°C
T
j
, T
stg
-55 to 150
Thermal resistance
Parameter
Junction to ambient
(a)
Junction to ambient
(b)
Junction to ambient
(c)
Junction to ambient
(d)
Symbol
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
Limit
149.3
Unit
°C/W
93.4
°C/W
83.3
°C/W
60
°C/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZXTP19060CFFTA 60V, SOT23F, PNP medium power transistor
ZXTP2008G 30V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
ZXTP2008GTA 30V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
ZXTP2008GTC 30V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
ZXTP2008Z 30V PNP LOW SATURATION MEDUIM POWER TRANSISTOR IN SOT89
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZXTP19060CFFTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 60V Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXTP19060CG 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:60V PNP medium transistor
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ZXTP19060CZ 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:60V PNP medium transistor in SOT89
ZXTP19060CZTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 60V 4.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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