參數(shù)資料
型號(hào)： ZXTP19060CFF
廠(chǎng)商： Zetex Semiconductor
英文描述： 60V, SOT23F, PNP medium power transistor
中文描述： 60V的，SOT23F，進(jìn)步黨中功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大小： 449K
代理商： ZXTP19060CFF
ZXTP19060CFF
Issue 1 - May 2007
Zetex Semiconductors plc 2007
4
www.zetex.com
Electrical characteristics (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated)
Parameter
Collector-base breakdown
voltage
Collector-emitter breakdown
voltage (base open)
Emitter-base breakdown
voltage
Emitter-collector breakdown
voltage (reverse blocking)
Symbol
BV
CBO
Min.
-60
Typ.
-110
Max.
Unit
V
Conditions
I
C
= -100 A
BV
CEO
-60
-90
V
I
C
= -10mA
(*)
NOTES:
(*) Measured under pulsed conditions. Pulse width 300 s; duty cycle 2%.
BV
EBO
-7
-8.4
V
I
E
= -100 A
BV
ECX
-7
-8.4
V
I
E
= -100 A, R
BC
< 1k or
0.25V > V
BC
> -0.25V
I
E
= -100 A,
Emitter-collector breakdown
voltage (base open)
Collector-base cut-off current
BV
ECO
-7
-8.8
V
I
CBO
<-1
-50
nA
V
CB
= -48V
V
CB
= -48V, T
amb
= 100°C
V
EB
= -5.6V
I
C
= -1A, I
B
= -100mA
(*)
I
C
= -1A, I
B
= -20mA
(*)
I
C
= -4A, I
B
= -400mA
(*)
I
C
= -4A, I
B
= -400mA
(*)
-50
A
Emitter-base cut-off current
I
EBO
V
CE(sat)
<-1
-50
nA
Collector-emitter saturation
voltage
-60
-75
mV
-140
-200
mV
-180
-270
mV
Base-emitter saturation
voltage
Base-emitter turn-on voltage
V
BE(sat)
-935
-1050
mV
V
BE(on)
-835
-950
mV
I
C
= -4A, V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -100mA, V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -1A, V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -4A, V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -50mA, V
CE
= -10V
f
= 50MHz
V
CB
= -10V, f
= 1MHz
(*)
V
CC
= -10V.
I
C
= -500mA,
I
B1
= -50mA, I
B2
= -50mA.
Static forward current transfer
ratio
h
FE
200
350
500
160
280
30
50
Transition frequency
f
T
180
MHz
Output capacitance
C
obo
29.5
40
pF
Delay time
t
d
t
r
t
s
t
f
24.3
ns
Rise time
13.2
ns
Storage time
456
ns
Fall time
68.2
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZXTP19060CFFTA 60V, SOT23F, PNP medium power transistor
ZXTP2008G 30V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
ZXTP2008GTA 30V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
ZXTP2008GTC 30V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
ZXTP2008Z 30V PNP LOW SATURATION MEDUIM POWER TRANSISTOR IN SOT89
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZXTP19060CFFTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 60V Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXTP19060CG 制造商:ZETEX 制造商全稱(chēng):ZETEX 功能描述:60V PNP medium transistor
ZXTP19060CGTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 60V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXTP19060CZ 制造商:DIODES 制造商全稱(chēng):Diodes Incorporated 功能描述:60V PNP medium transistor in SOT89
ZXTP19060CZTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 60V 4.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠(chǎng)商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*