參數(shù)資料
型號： 150GT120DN2
英文描述： Ultra-Low-Power Voltage Detectors and µP Supervisory Circuits
中文描述： IGBT模塊
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大?。?/td> 302K
代理商： 150GT120DN2
4
Nov-24-1997
BSM 150 GT 120 DN2
Power dissipation
Ptot = (TC)
parameter: Tj ≤ 150 °C
0
20
40
60
80
100 120
°C
160
TC
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
W
1300
Ptot
Safe operating area
IC = (VCE)
parameter: D = 0, TC = 25°C , Tj ≤ 150 °C
0
10
1
10
2
10
3
10
A
IC
10
0
10
1
10
2
10
3
V
VCE
DC
10 ms
1 ms
100 s
tp = 18.0s
Collector current
IC = (TC)
parameter: VGE ≥ 15 V , Tj ≤ 150 °C
0
20
40
60
80
100 120
°C
160
TC
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
A
220
IC
Transient thermal impedance IGBT
Zth JC = (tp)
parameter: D = tp / T
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
K/W
ZthJC
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
s
tp
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
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PDF描述
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