參數(shù)資料
型號： 150GT120DN2
英文描述： Ultra-Low-Power Voltage Detectors and µP Supervisory Circuits
中文描述： IGBT模塊
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 302K
代理商： 150GT120DN2
6
Nov-24-1997
BSM 150 GT 120 DN2
Typ. gate charge
VGE = (QGate)
parameter: IC puls = 150 A
0
200
400
600
800
1100
QGate
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
20
VGE
800 V
600 V
Typ. capacitances
C = f (VCE)
parameter: VGE = 0 V, f = 1 MHz
0
5
10
15
20
25
30
V
40
V
CE
-1
10
0
10
1
10
2
10
nF
C
Ciss
Coss
Crss
Reverse biased safe operating area
ICpuls = f(VCE) , Tj = 150°C
parameter: VGE = 15 V
0
200 400 600 800 1000 1200
V
1600
V
CE
0.0
0.5
1.0
1.5
2.5
I
Cpuls/IC
Short circuit safe operating area
ICsc = f(VCE) , Tj = 150°C
parameter: VGE = ± 15 V, tSC ≤ 10 s, L < 50 nH
0
200 400 600 800 1000 1200
V
1600
V
CE
0
2
4
6
8
12
I
Csc/IC
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PDF描述
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