參數(shù)資料
型號： 150GT120DN2
英文描述： Ultra-Low-Power Voltage Detectors and µP Supervisory Circuits
中文描述： IGBT模塊
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 302K
代理商： 150GT120DN2
2
Nov-24-1997
BSM 150 GT 120 DN2
Electrical Characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
Static Characteristics
Gate threshold voltage
VGE = VCE, IC = 6 mA
VGE(th)
4.5
5.5
6.5
V
Collector-emitter saturation voltage
VGE = 15 V, IC = 150 A, Tj = 25 °C
VGE = 15 V, IC = 150 A, Tj = 125 °C
VCE(sat)
-
3.1
2.5
3.7
3
Zero gate voltage collector current
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tj = 25 °C
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tj = 125 °C
ICES
-
8
2
-
2.8
mA
Gate-emitter leakage current
VGE = 20 V, VCE = 0 V
IGES
-
320
nA
AC Characteristics
Transconductance
VCE = 20 V, IC = 150 A
gfs
62
-
S
Input capacitance
VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz
Ciss
-
10
-
nF
Output capacitance
VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz
Coss
-
1.5
-
Reverse transfer capacitance
VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz
Crss
-
0.8
-
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