參數(shù)資料
型號(hào)： 200GT120DN2
英文描述： IGBT Module
中文描述： IGBT模塊
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大?。?/td> 302K
代理商： 200GT120DN2
6
Nov-24-1997
BSM 200 GT 120 DN2
Typ. gate charge
V
GE
=
(
Q
Gate
)
parameter:
I
C puls
= 200 A
0
200
400
600
800
1000
nC
Q
Gate
1400
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
20
V
GE
800 V
600 V
Typ. capacitances
C
=
f
(
V
CE
)
parameter:
V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
0
5
10
15
20
25
30
V
V
CE
40
-1
10
0
10
1
10
2
10
nF
C
Ciss
Coss
Crss
Reverse biased safe operating area
I
Cpuls
= f(V
CE
)
,
T
j
= 150°C
parameter:
V
GE
= 15 V
0
200
400
600
800
1000 1200
V
1600
V
CE
0.0
0.5
1.0
1.5
2.5
I
Cpuls
/
I
C
Short circuit safe operating area
I
Csc
= f(V
CE
) ,
T
j
= 150°C
parameter:
V
GE
= ± 15 V,
t
SC
≤
10 μs, L < 50 nH
0
200
400
600
800
1000 1200
V
1600
V
CE
0
2
4
6
8
12
I
Csc
/
I
C
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PDF描述
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