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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 28F640P3 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| 中文描述： | 英特爾StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器 |
| 文件頁數(shù)： | 51/82頁 |
| 文件大小： | 749K |
| 代理商： | 28F640P3 |
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28F6408W30, 28F3204W30, 28F320W30, 28F640W30
Preliminary
45
NOTES:
1.
Section 4.2.2,
“
First Latency Count (LC2
–
0)
”
on page 14
describes how to insert clock cycles during the initial
access.
2. WAIT (shown active low) can be configured to assert either during or one data cycle before valid data.
Figure 18. 4 Word Burst Read Waveform
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
Valid
Address
V
IH
V
IL
Note 1
V
OH
V
OL
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
High Z
R105
R102
R301
R302
R306
R101
R2
R106
R103
R3
R4
R7
R304
R5
R305
R8
R9
0
1
RST# [P]
WAIT [T]
WE# [W]
OE# [G]
CE# [E]
ADV# [V]
Address [A]
CLK [C]
Data [D/Q]
Note 2
R104
R303
R10
R307
High Z
R308
R309
R310
High Z
High Z
Figure 19. Clock Input AC Waveform
CLK [C]
V
IH
V
IL
R203
R202
R201
CLKINPUT.WMF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F320C3 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級(jí)快速引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器) |
| 28F800C3 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級(jí)快速引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器) |
| 28F160C3 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級(jí)快速引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器) |
| 28F320D18 | 1.8 Volt Intel Dual-Plane Flash Memory(1.8 V Intel 雙平面閃速存儲(chǔ)器) |
| 28F320J5 | 5 Volt Intel StrataFlash Memory(5 V 32M位英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F640W30 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| 28F650 | 制造商:Cinch Connectors 功能描述:1 Lug Terminal Strip |
| 28F651 | 制造商:Cinch Connectors 功能描述:2 Lug Terminal Strip |
| 28F652 | 制造商:Cinch Connectors 功能描述:3 Lug Terminal Strip |
| 28F653 | 制造商:Cinch Connectors 功能描述:4 Lug Terminal Strip |
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