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參數(shù)資料
| 型號： | 28F640P3 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| 中文描述： | 英特爾StrataFlash嵌入式存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 82/82頁 |
| 文件大小： | 749K |
| 代理商： | 28F640P3 |
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28F6408W30, 28F3204W30, 28F320W30, 28F640W30
76
Preliminary
Partition and Erase-block Region Information
32 Mbit
–
T
–
B
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--02
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--01
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--03
NOTES:
1. The variable P is a pointer which is defined at CFI offset 15h.
2. For a 16Mb the 1.8 Volt Intel
Wireless Flash memory z1 = 0100h = 256
256 * 256 = 64K, y1 = 17h = 23d
y1+1 = 24
24 * 64K = 1
MB
Partition 2
’
s offset is 0018 0000h bytes (000C 0000h words).
3. TPD - Top parameter device; BPD - Bottom parameter device.
4. Partition: Each partition is 4Mb in size. It can contain main blocks OR a combination of both main and
parameter blocks.
5. Partition Region: Symmetrical partitions form a partition region. (there are two partition regions, A. contains
all the partitions that are made up of main blocks only. B. contains the partition that is made up of the
parameter and the main blocks.
Address
16 Mbit
–
B
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T
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B
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B
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T
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72:
73:
74:
75:
64Mbit
128Mbit
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F320C3 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級快速引導(dǎo)塊閃速存儲器) |
| 28F800C3 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級快速引導(dǎo)塊閃速存儲器) |
| 28F160C3 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級快速引導(dǎo)塊閃速存儲器) |
| 28F320D18 | 1.8 Volt Intel Dual-Plane Flash Memory(1.8 V Intel 雙平面閃速存儲器) |
| 28F320J5 | 5 Volt Intel StrataFlash Memory(5 V 32M位英特爾StrataFlash存儲器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F640W30 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| 28F650 | 制造商:Cinch Connectors 功能描述:1 Lug Terminal Strip |
| 28F651 | 制造商:Cinch Connectors 功能描述:2 Lug Terminal Strip |
| 28F652 | 制造商:Cinch Connectors 功能描述:3 Lug Terminal Strip |
| 28F653 | 制造商:Cinch Connectors 功能描述:4 Lug Terminal Strip |
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