參數(shù)資料
型號(hào)： 29F001T-12
廠商： Macronix International Co., Ltd.
英文描述： 1M-BIT [128K x 8] CMOS FLASH MEMORY
中文描述： 100萬(wàn)位[128K的× 8]的CMOS閃存
文件頁(yè)數(shù)： 14/42頁(yè)
文件大小： 600K
代理商： 29F001T-12
14
REV. 2.6, DEC. 29, 2003
P/N: PM0515
MX29F001T/B
AC CHARACTERISTICS
VCC = 5V
±
10%
NOTE:
1. tDF is defined as the time at which the output achieves
the open circuit condition and data is no longer driven.
TEST CONDITIONS:
Input pulse levels: 0.45V/2.4V
Input rise and fall times: <10ns
Output load: 1 TTL gate + 100pF (Including scope and
jig)
Reference levels for measuring timing : 0.8V & 2.0V
29F001T/B-90
29F001T/B-12
SYMBOL
PARAMETER
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
UNIT
CONDITIONS
tACC
Address to Output Delay
90
120
ns
CE=OE=VIL
tCE
CE to Output Delay
90
120
ns
OE=VIL
tOE
OE to Output Delay
40
50
ns
CE=VIL
tDF
OE High to Output Float (Note1)
0
30
0
30
ns
CE=VIL
tOH
Address to Output hold
0
0
ns
CE=OE=VIL
相關(guān)PDF資料
PDF描述
29F001T-90 1M-BIT [128K x 8] CMOS FLASH MEMORY
29F002B-12 2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
29F002B-55 2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
29F002B-70 2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
29F002B-90 2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
29F001T-90 制造商:MCNIX 制造商全稱(chēng):Macronix International 功能描述:1M-BIT [128K x 8] CMOS FLASH MEMORY
29F002 制造商:MCNIX 制造商全稱(chēng):Macronix International 功能描述:2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
29F002B-12 制造商:MCNIX 制造商全稱(chēng):Macronix International 功能描述:2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
29F002B-55 制造商:MCNIX 制造商全稱(chēng):Macronix International 功能描述:2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
29F002B-70 制造商:MCNIX 制造商全稱(chēng):Macronix International 功能描述:2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
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