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參數(shù)資料
| 型號： | 29F001T-12 |
| 廠商： | Macronix International Co., Ltd. |
| 英文描述： | 1M-BIT [128K x 8] CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 100萬位[128K的× 8]的CMOS閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 41/42頁 |
| 文件大?。?/td> | 600K |
| 代理商： | 29F001T-12 |
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41
REV. 2.6, DEC. 29, 2003
P/N: PM0515
MX29F001T/B
Revision
Description
Page
Date
2.0
1. To remove "Advanced Information" data sheet marking and
contain information on products in full production
2.The modification summary from Revision 0.0 to Revision 1.0:
2-1.Program/erase cycle times:10K cycles-->100K cycles
2-2.To add data retention 20 years
2-3.To remove A9 from the timing waveform of protection/
unprotection without 12V
2-4.Multi-sector erase time out:80ms-->30us
2-5.tBAL:80us-->100us
To modify "Package Information"
To corrected typing error
1. Add industrial grade spec
2. Modify maximum value measurement temperature from 25
°
C to 85
°
C P37
1. Remove industrial grade spec
1. To modify Package Information
1. Removed 55ns/70ns specification
P1
DEC/21/1999
P1,38
P1,38
P32,33
P8
P16,17
P39~41
All
P13,38
2.1
2.2
2.3
JUN/14/2001
JUL/01/2002
JUL/09/2002
2.4
2.5
2.6
P13,37,38
P39~41
P1,13~18,37DEC/29/2003
AUG/12/2002
NOV/20/2002
REVISION HISTORY
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 29F001T-90 | 1M-BIT [128K x 8] CMOS FLASH MEMORY |
| 29F002B-12 | 2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY |
| 29F002B-55 | 2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY |
| 29F002B-70 | 2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY |
| 29F002B-90 | 2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 29F001T-90 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:1M-BIT [128K x 8] CMOS FLASH MEMORY |
| 29F002 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY |
| 29F002B-12 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY |
| 29F002B-55 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY |
| 29F002B-70 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY |
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