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參數(shù)資料
| 型號： | 29F022T-120 |
| 廠商： | Macronix International Co., Ltd. |
| 英文描述： | 2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 200萬位[256K × 8]的CMOS閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 14/46頁 |
| 文件大小： | 606K |
| 代理商： | 29F022T-120 |
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P/N:PM0556
REV. 1.3, NOV. 11, 2002
MX29F022/022NT/B
TEMPORARY SECTOR UNPROTECT OPERATION (only for 29F022T/B)
Start
RESET = VID (Note 1)
Perform Erase or Program Operation
RESET = VIH
Temporary Sector Unprotect Completed(Note 2)
2. All previously protected sectors are protected again.
Note :
Operation Completed
1. All protected sectors are temporary unprotected.
VID=11.5V~12.5V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 29F022T-55 | 2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY |
| 29F022T-70 | 2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY |
| 29F022T-90 | 2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY |
| 29F040-12 | 4M-BIT [512KX8] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY |
| 29F040-55 | 4M-BIT [512KX8] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 29F022T-55 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY |
| 29F022T-70 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY |
| 29F022T-90 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY |
| 29F0303-0T0-10 | 功能描述:信號調(diào)節(jié) 266ohms 100MHz 8A Thru-hole RoHS:否 制造商:EPCOS 產(chǎn)品:Duplexers 頻率:782 MHz, 751 MHz 頻率范圍: 電壓額定值: 帶寬: 阻抗:50 Ohms 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:2.5 mm x 2 mm 工作溫度范圍:- 30 C to + 85 C 封裝:Reel |
| 29F0318-0SR | 功能描述:FERRITE 6A 83 OHM SMD RoHS:否 類別:濾波器 >> 鐵氧體磁珠和芯片 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:EMI1812 頻率對應(yīng)阻抗:120 歐姆 @ 100MHz 額定電流:200mA DC 電阻(DCR):最大 400 毫歐 濾波器類型:差模 - 單線 封裝/外殼:1812（4532 公制） 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 高度（最大）:0.069"（1.75mm） 尺寸/尺寸:0.177" L x 0.126" W（4.50mm x 3.20mm） 其它名稱:Q1712807A |
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