參數(shù)資料
型號(hào)： 29F022T-120
廠商： Macronix International Co., Ltd.
英文描述： 2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY
中文描述： 200萬(wàn)位[256K × 8]的CMOS閃存
文件頁(yè)數(shù)： 18/46頁(yè)
文件大?。?/td> 606K
代理商： 29F022T-120
18
P/N:PM0556
REV. 1.3, NOV. 11, 2002
MX29F022/022NT/B
AC CHARACTERISTICS TA = 0
o
C to 70
o
C, VCC = 5V
±
10%(VCC = 5V
±
5% for 29F022T/B-55)
29F022T/B-55
MIN.
MAX.
55
55
25
0
20
0
29F022T/B-70
MIN.
SYMBOL PARAMETER
tACC
Address to Output Delay
tCE
CE to Output Delay
tOE
OE to Output Delay
tDF
OE High to Output Float (Note1)
tOH
Address to Output hold
MAX.
70
70
30
20
UNIT CONDITIONS
ns
CE=OE=VIL
ns
OE=VIL
ns
CE=VIL
ns
CE=VIL
ns
CE=OE=VIL
0
0
NOTE:
1.tDF is defined as the time at which the output achieves the
open circuit condition and data is no longer driven.
TEST CONDITIONS:
Input pulse levels: 0.45V/2.4V for 70ns max.
: 0V/3V for 55ns speed grade.
Input rise and fall times: < 10ns for 70ns max.
: < 5ns for 55ns speed grade.
Output load: 1 TTL gate + 100pF(Including scope and jig) for 70ns max.
: 1 TTL gate + 50pF(Including scope and jig) for 55ns speed grade.
Reference levels for measuring timing : 0.8V/2.0V or 70ns max.
:1.5V/1.5V for 55ns speed grade.
29F022T/B-90
MIN.
MAX.
90
90
40
0
30
0
29F022T/B-120
MIN.
SYMBOL PARAMETER
tACC
Address to Output Delay
tCE
CE to Output Delay
tOE
OE to Output Delay
tDF
OE High to Output Float (Note1)
tOH
Address to Output hold
MAX.
120
120
50
30
UNIT CONDITIONS
ns
CE=OE=VIL
ns
OE=VIL
ns
CE=VIL
ns
CE=VIL
ns
CE=OE=VIL
0
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
29F022T-55 2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY
29F022T-70 2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY
29F022T-90 2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY
29F040-12 4M-BIT [512KX8] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY
29F040-55 4M-BIT [512KX8] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
29F022T-55 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY
29F022T-70 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY
29F022T-90 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY
29F0303-0T0-10 功能描述:信號(hào)調(diào)節(jié) 266ohms 100MHz 8A Thru-hole RoHS:否 制造商:EPCOS 產(chǎn)品:Duplexers 頻率:782 MHz, 751 MHz 頻率范圍: 電壓額定值: 帶寬: 阻抗:50 Ohms 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:2.5 mm x 2 mm 工作溫度范圍:- 30 C to + 85 C 封裝:Reel
29F0318-0SR 功能描述:FERRITE 6A 83 OHM SMD RoHS:否 類別:濾波器 >> 鐵氧體磁珠和芯片 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:EMI1812 頻率對(duì)應(yīng)阻抗:120 歐姆 @ 100MHz 額定電流:200mA DC 電阻(DCR):最大 400 毫歐 濾波器類型:差模 - 單線 封裝/外殼:1812（4532 公制） 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 高度（最大）:0.069"（1.75mm） 尺寸/尺寸:0.177" L x 0.126" W（4.50mm x 3.20mm） 其它名稱:Q1712807A
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