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參數(shù)資料
| 型號： | 29F022T-120 |
| 廠商： | Macronix International Co., Ltd. |
| 英文描述： | 2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 200萬位[256K × 8]的CMOS閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 21/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 606K |
| 代理商： | 29F022T-120 |
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21
P/N:PM0556
REV. 1.3, NOV. 11, 2002
MX29F022/022NT/B
AC CHARACTERISTICS TA = 0
o
C to 70
o
C, VCC = 5V
±
10%(VCC=5V
±
5% for 29F022T/B-55)
29F022T/B-55(Note2) 29F022T/B-70 29F022T/B-90
29F022T/B-12
SYMBOL
tOES
tCWC
tCEP
tCEPH1
tCEPH2
tAS
tAH
tDS
tDH
tCESC
tDF
tAETC
tAETB
tAVT
PARAMETER
OE setup time
Command programming cycle
WE programming pulse width
WE programming pulse width High
WE programming pulse width High
Address setup time
Address hold time
Data setup time
Data hold time
CE setup time before command write
Output disable time (Note 1)
Total erase time in auto chip erase
Total erase time in auto sector erase
Total programming time in auto verify
(Byte Program time)
Sector address load time
CE Hold Time
CE setup to WE going low
Voltage Transition Time
OE Setup Time to WE Active
Write pulse width for chip protect
Write pulse width for chip unprotect
MIN.
0
70
45
20
20
0
45
20
0
0
MAX.
MIN.
0
70
45
20
20
0
45
30
0
0
MAX.
MIN.
0
90
45
20
20
0
45
45
0
0
MAX.
MIN.
0
120
50
20
20
0
50
50
0
0
MAX. UNIT
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
us
20
30
40
40
3(TYP.) 24
1(TYP.) 8
7(TYP.) 210
3(TYP.) 24
1(TYP.) 8
7(TYP.) 210
3(TYP.) 24
1(TYP.) 8
7(TYP.) 210
3(TYP.) 24
1(TYP.) 8
7(TYP.) 210
tBAL
tCH
tCS
tVLHT
tOESP
tWPP1
tWPP2
100
0
0
4
4
10
12
100
0
0
4
4
10
12
100
0
0
4
4
10
12
100
0
0
4
4
10
12
us
us
us
us
us
us
ms
NOTES:
1.tDF defined as the time at which the output achieves the open circuit condition and data is no longer driven.
2.Under condition of VCC=5V
±
5%,CL=50pF, VIH/VIL=3.0V/0V, VOH/VOL=1.5V/1.5V,IOL=2mA,IOH=-2mA.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 29F022T-55 | 2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY |
| 29F022T-70 | 2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY |
| 29F022T-90 | 2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY |
| 29F040-12 | 4M-BIT [512KX8] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY |
| 29F040-55 | 4M-BIT [512KX8] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 29F022T-55 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY |
| 29F022T-70 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY |
| 29F022T-90 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY |
| 29F0303-0T0-10 | 功能描述:信號調(diào)節(jié) 266ohms 100MHz 8A Thru-hole RoHS:否 制造商:EPCOS 產(chǎn)品:Duplexers 頻率:782 MHz, 751 MHz 頻率范圍: 電壓額定值: 帶寬: 阻抗:50 Ohms 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:2.5 mm x 2 mm 工作溫度范圍:- 30 C to + 85 C 封裝:Reel |
| 29F0318-0SR | 功能描述:FERRITE 6A 83 OHM SMD RoHS:否 類別:濾波器 >> 鐵氧體磁珠和芯片 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:EMI1812 頻率對應(yīng)阻抗:120 歐姆 @ 100MHz 額定電流:200mA DC 電阻(DCR):最大 400 毫歐 濾波器類型:差模 - 單線 封裝/外殼:1812（4532 公制） 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 高度（最大）:0.069"（1.75mm） 尺寸/尺寸:0.177" L x 0.126" W（4.50mm x 3.20mm） 其它名稱:Q1712807A |
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