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參數資料
| 型號： | 29F200C-55 |
| 廠商： | Macronix International Co., Ltd. |
| 英文描述： | 2M-BIT [256Kx8/128Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 200萬位[256Kx8/128Kx16]的CMOS閃存 |
| 文件頁數： | 37/44頁 |
| 文件大小： | 447K |
| 代理商： | 29F200C-55 |
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37
P/N:PM1250
REV. 1.0 , DEC. 14, 2005
MX29F200C T/B
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
At Device Power-Up
AC timing illustrated in Figure A is recommended for the supply voltages and the control signals at device power-up.
If the timing in the figure is ignored, the device may not operate correctly.
Figure A. AC Timing at Device Power-Up
Notes :
1. Sampled, not 100% tested.
2. This specification is applied for not only the device power-up but also the normal operations.
Symbol
tVR
tR
tF
Parameter
VCC Rise Time
Input Signal Rise Time
Input Signal Fall Time
Notes
1
1,2
1,2
Min.
20
Max.
500000
20
20
Unit
us/V
us/V
us/V
VCC
ADDRESS
CE#
WE#
OE#
DATA
tVR
tACC
tR or tF
tCE
tF
VCC(min)
GND
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VOH
High Z
VOL
Valid
Ouput
Valid
Address
tR or tF
tR
tOE
tF
tR
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 29F200C-70 | 2M-BIT [256Kx8/128Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| 29F200C-90 | 2M-BIT [256Kx8/128Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| 29F256 | 262,144-BIT FLASH ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES |
| 29F4000 | 4M-BIT [512Kx8/256Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400B-12PI | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 29F200C-70 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT [256Kx8/128Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| 29F200C-90 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT [256Kx8/128Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| 29F256 | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:262,144-BIT FLASH ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES |
| 29F2875 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:E13-00E General Purpose Single Pole Switch |
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