參數(shù)資料
型號(hào)： 2N4399
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP Silicon High-Power Transistor(60V（集電極-發(fā)射極）硅PNP大功率晶體管)
中文描述： 30 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
封裝： METAL, TO-3, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大小： 104K
代理商： 2N4399
PNP Silicon High-Power
Transistors
. . . designed for use in power amplifier and switching circuits.
Low Collector–Emitter Saturation Voltage —
I
C
= 15 Adc, V
CE(sat)
= 1.0 Vdc (Max) 2N4398,99
I
= 1.5 Vdc (Max) 2N5745
DC Current Gain Specified —
I
=
1.0 to 30 Adc
Complements to NPN 2N5301, 2N5302, 2N303
*Indicates JEDEC Registered Data.
**ON Semiconductor guarantees this data in addition to JEDEC Registered Data.
*MAXIMUM RATINGS
Collector–Base Voltage
Rating
Symbol
V
CB
V
EB
C
2N4398
5.0
2N4399
2N5745
Unit
Emitter–Base Voltage
Collector–Emitter Voltage
V
CEO
P
D
40
60
60
80
80
Vdc
Vdc
40
Vdc
50
Peak
Peak
15
50
Derate above 25 C
Total Device Dissipation
P
T
stg
28.6
200
mW/ C
Watts
Watts
Total Device Dissipation @ T
= 25 C
Temperature Range
Characteristic
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Symbol
Max
Unit
θ
JC
0.875
35
C/W
C/W
θ
JA
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
January, 2001 – Rev. 8
1
Publication Order Number:
2N4398/D
2N4347
(See 2N3442)
2N4398
2N4399
2N5745
20, 30 AMPERE
POWER TRANSISTORS
PNP SILICON
40–60–180 VOLTS
200 WATTS
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N5745 PNP Silicon High-Power Transistor(80V（集電極-發(fā)射極）硅PNP大功率晶體管)
2N4401 General Purpose NPN Silicon Transistor(40V（集電極-發(fā)射極）通用型硅NPN晶體管)
2N4401 NPN General Purpose Amplifier(NPN型通用放大器)
2N4403G General Purpose Transistors
2N4403RA TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N439A 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:NPN HIGH FREQUENCY COMPUTER TRANSISTORS
2N43A 制造商:General Electric Company 功能描述:
2N440 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | TO-5
2N4400 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO-92 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4400/D 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors NPN
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