參數(shù)資料
型號(hào): 2N4403G
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: General Purpose Transistors
中文描述: 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN
文件頁數(shù): 6/8頁
文件大?。?/td> 104K
代理商: 2N4403G
2N4403
http://onsemi.com
6
STATIC CHARACTERISTICS
Figure 14. DC Current Gain
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 15. Collector Saturation Region
I
B
, BASE CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
0.1
V
0.5
2.0
3.0
50
0.2
0.3
0
1.0
0.7
5.0
7.0
C
I
C
= 1.0 mA
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
10 mA
100 mA
10
20
30
0.3
0.5
0.7
1.0
3.0
0.1
h
0.5
2.0
3.0
10
50
70
0.2
0.3
0.2
100
1.0
0.7
500
30
20
5.0
7.0
F
T
J
= 125
°
C
55
°
C
2.0
200
300
25
°
C
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 10 V
Figure 16. “On” Voltages
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
Figure 17. Temperature Coefficients
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
1.0 2.0
5.0
10
20
50
0
100
0.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
500
T
J
= 25
°
C
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE(sat)
@ V
CE
= 10 V
VC
for V
CE(sat)
VS
for V
BE
200
0.1
0.2
0.5
C
°
2.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
500
200
0.1 0.2
0.5
500 mA
0.005
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PDF描述
2N4403RA TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-92
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2N4403NLBU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4403RA 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO-92 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2