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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2N55551ZL1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | Amplifier Transistors |
| 中文描述： | 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/6頁(yè) |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | 2N55551ZL1 |
2N5550, 2N5551
http://onsemi.com
4
Figure 2. Collector Saturation Region
I
B
, BASE CURRENT (mA)
1.0
I
C
= 1.0 mA
0
0.005
0.3
0.01
0.2
0.5
1.0
2.0
20
50
0.8
0.5
0.4
0.9
0.7
0.6
0.2
0.02
0.05
0.1
10
V
0.1
10 mA
30 mA
100 mA
5.0
Figure 3. Collector CutOff Region
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
1.0
2.0
5.0
10
20
50
2.5
100
T
J
= 25
°
C
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
VC
for V
CE(sat)
VB
for V
BE(sat)
0.1
0.2
0.5
Figure 4. “On” Voltages
V
BE
, BASEEMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10
1
10
5
Figure 5. Temperature Coefficients
T
J
= 55
°
C to +135
°
C
0.4
0.3
0.1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
0.2
0
0.1
0.2
0.4
0.3
0.6
0.5
V
CE
= 30 V
T
J
= 125
°
C
75
°
C
25
°
C
I
C
= I
CES
,
I
V
θ
°
3.0
30
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
REVERSE
FORWARD
0.3
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
0.1
0.2
0.5
3.0
30
0.3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5555 | N-Channel Depletion JFET Switching(N溝道耗盡型結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)) |
| 2N5555 | CASE 29.04, STYLE 5 TO-92 (TO-226AA) |
| 2N5567 | BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTORS |
| 2N5568 | BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTORS |
| 2N5569 | BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N55551ZL1G | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistors NPN Silicon |
| 2N5556 | 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:GENERAL PURPOSE AMPS |
| 2N5557 | 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:GENERAL PURPOSE AMPS |
| 2N5558 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:COLLECTOR CURRENT = 10 AMPS NPN TYPES |
| 2N5559 | 制造商:SAVANTIC 制造商全稱:Savantic, Inc. 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
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