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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2N60B |
| 廠(chǎng)商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 600V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 600V的N溝道MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 647K |
| 代理商： | 2N60B |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B, November 2001
S
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
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