參數(shù)資料
型號： 2N6338
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High-Power NPN Silicon Transistor(25A，200W，100V（集電極-發(fā)射極），硅NPN大功率晶體管)
中文描述： 25 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
封裝： CASE 1-07, TO-3, 2 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 135K
代理商： 2N6338
2N6338 2N6341
http://onsemi.com
4
5.0
0.3
Figure 6. Turn
Off Time
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
t
2.0
1.0
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.5 0.7
1.0
2.0
5.0
10
20
30
V
CC
= 80 V
I
B1
= I
B2
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25
°
C
t
s
3.0
0.7
3.0
t
f
5000
0.1
Figure 7. Capacitance
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
50
0.5
1.0
2.0
5.0
20
50
100
10
C
700
500
200
100
70
T
J
= 25
°
C
C
ib
C
ob
3000
2000
1000
300
0.2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6341 High-Power NPN Silicon Transistor(25A，200W，150V（集電極-發(fā)射極），硅NPN大功率晶體管)
2N6339 High-Power NPN Silicon Transistor(25A，200W，120V（集電極-發(fā)射極），硅NPN大功率晶體管)
2N6340 High-Power NPN Silicon Transistor(25A，200W，140V（集電極-發(fā)射極），硅NPN大功率晶體管)
2N6342 TRIACS Silicon Bidirectional Triode Thyristors
2N6343 TRIACS Silicon Bidirectional Triode Thyristors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6338/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:High-Power NPN Silicon Transistors
2N6338G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25A 100V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6338X 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 25A I(C) | TO-204AA
2N6339 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 120V 30A 3PIN TO-3 - Bulk
2N6339ACECC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 25A I(C) | TO-204AA
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*