參數(shù)資料
型號(hào)： 2N7000D74Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
文件頁(yè)數(shù)： 10/14頁(yè)
文件大小： 746K
代理商： 2N7000D74Z
2N7000.SAM Rev. A1
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.925
0.95
0.975
1
1.025
1.05
1.075
1.1
T , JUNCTION TEM PERATURE (°C)
DRAIN-SOURCE
BREAKDO
WN
VOLTAG
E
J
BV
,
NORMALIZED
DSS
I
= 250A
D
0 .2
0 .4
0 .6
0 .8
1
1 .2
1 .4
0 .001
0 .005
0 .01
0 .05
0 .1
0 .5
1
2
V
, BODY DIODE FORWA RD VOLTAGE (V)
I
,
REVERSE
DR
A
IN
CURRENT
(A)
V
= 0V
GS
T = 125° C
J
SD
S
25° C
-55° C
0
0 .4
0 .8
1 .2
1 .6
2
0
2
4
6
8
10
Q
, GATE CHARGE (nC)
V
,
GAT
E-SO
URCE
VOLTAGE
(V)
g
GS
I
=500 mA
D
V
= 25V
DS
115 mA
280 mA
1
2
3
5
10
20
30
50
1
2
5
10
20
40
60
V
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
CAPACITANCE
(pF)
DS
C iss
f = 1 MH z
V
= 0V
GS
C oss
C rss
G
D
S
VDD
R
L
V
IN
OUT
V
GS
DUT
R
GEN
10%
50%
90%
10%
90%
50%
Input, Vin
Output, Vout
t on
toff
td(off)
t f
tr
t d(on)
Inverted
10%
Pulse Width
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
with Temperature
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation with
Figure 9. Capacitance Characteristics
Figure 10. Gate Charge Characteristics
Figure 11.
Figure 12. Switching Waveforms
Typical Electrical Characteristics (continued)
2N7000 / 2N7002 /NDS7002A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N7000J18Z 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2N7000L-T92-R 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000-T92-K 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000-T92-R 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000L 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N7000-D74Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200mA（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線(xiàn)） 基本零件編號(hào):2N7000 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2N7000-D75Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200mA（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線(xiàn)） 基本零件編號(hào):2N7000 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2N7000G 功能描述:MOSFET 60V 200mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7000-G 功能描述:MOSFET 60V 5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7000-G P002 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-Channel MOSFET
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