參數(shù)資料
型號(hào)： 2N7000D74Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
文件頁(yè)數(shù)： 9/14頁(yè)
文件大?。?/td> 746K
代理商： 2N7000D74Z
2N7000.SAM Rev. A1
0
1
2
3
4
5
0
0 .5
1
1 .5
2
V
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
,
DR
A
IN-SOURCE
CURRENT
(A)
9.0
4.0
8.0
3.0
7.0
V
= 10V
GS
DS
D
5.0
6.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0 .5
0 .75
1
1 .25
1 .5
1 .75
2
T , JUNCTION T EMPERATURE (°C)
DRAI
N
-SOURCE
ON-RESISTANCE
J
R
,
NO
R
MA
LIZED
DS(ON)
V
= 10V
GS
I
= 500mA
D
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0 .8
0 .85
0 .9
0 .95
1
1 .05
1 .1
T , JUNCTION TEM PERATU RE (°C)
GAT
E-SOURCE
THRESHOLD
VOLTAGE
J
I
= 1 mA
D
V
= V
DS
GS
V
,
NOR
MAL
IZED
th
0
0 .4
0 .8
1 .2
1 .6
2
0 .5
1
1 .5
2
2 .5
3
I
, DRA IN CURRENT (A)
DRAI
N
-SOURCE
ON-RESISTANCE
V
=4.0V
GS
D
R
,
NO
RMALIZED
DS(on)
7 .0
4 .5
10
5 .0
6 .0
9 .0
8 .0
0
0 .4
0 .8
1 .2
1 .6
2
0
0 .5
1
1 .5
2
2 .5
3
I
, DRAIN CURRENT (A)
DRAIN-SOURCE
ON-RESISTANCE
T = 125° C
J
25° C
-55°C
D
V
= 10V
GS
R
,
NO
RMALIZED
DS(on)
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. On-Resistance Variation with Gate
Voltage and Drain Current
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature
Figure 5. Transfer Characteristics
Figure 6. Gate Threshold Variation with
Temperature
0
2
4
6
8
10
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
V
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
,
DR
A
IN
CURRENT
(A)
V
= 10V
DS
GS
D
T
= -55°C
J
25° C
125° C
2N7000 / 2N7002 / NDS7002A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N7000J18Z 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2N7000L-T92-R 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000-T92-K 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000-T92-R 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000L 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N7000-D74Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200mA（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 基本零件編號(hào):2N7000 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2N7000-D75Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200mA（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 基本零件編號(hào):2N7000 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2N7000G 功能描述:MOSFET 60V 200mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7000-G 功能描述:MOSFET 60V 5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7000-G P002 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-Channel MOSFET
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*