參數(shù)資料
型號： 2N7000D74Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
文件頁數(shù)： 8/14頁
文件大?。?/td> 746K
代理商： 2N7000D74Z
Electrical Characteristics T
A = 25
oC unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Conditions
Typ
e
Min
Typ
Max
Units
ON CHARACTERISTICS
Continued (Note 1)
I
D(ON)
On-State Drain Current
V
GS = 4.5 V,
V
DS = 10 V
2N7000
75
600
mA
V
GS = 10 V,
V
DS >
2 V
DS(on)
2N7002
500
2700
V
GS = 10 V,
V
DS >
2 V
DS(on)
NDS7002A
500
2700
g
FS
Forward Transconductance
V
DS = 10 V, ID = 200 mA
2N7000
100
320
mS
V
DS >
2 V
DS(on), ID = 200 mA
2N7002
80
320
V
DS >
2 V
DS(on), ID = 200 mA
NDS7002A
80
320
DYNAMIC CHARACTERISTICS
C
iss
Input Capacitance
V
DS = 25 V,
V
GS = 0 V,
f = 1.0 MHz
All
20
50
pF
C
oss
Output Capacitance
All
11
25
pF
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
All
4
5
pF
t
on
Turn-On Time
V
DD = 15 V, RL = 25 ,
I
D = 500 mA, VGS = 10 V,
R
GEN = 25
2N7000
10
ns
V
DD = 30 V, RL = 150 ,
I
D = 200 mA, VGS = 10 V,
R
GEN = 25
2N700
NDS7002A
20
t
off
Turn-Off Time
V
DD = 15 V, RL = 25 ,
I
D = 500 mA, VGS = 10 V,
R
GEN = 25
2N7000
10
ns
V
DD = 30 V, RL = 150 ,
I
D = 200 mA, VGS = 10 V,
R
GEN = 25
2N700
NDS7002
A
20
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS AND MAXIMUM RATINGS
I
S
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
2N7002
115
mA
NDS7002A
280
I
SM
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
2N7002
0.8
A
NDS7002A
1.5
V
SD
Drain-Source Diode Forward
Voltage
V
GS = 0 V,
I
S = 115 mA (Note 1)
2N7002
0.88
1.5
V
GS = 0 V,
I
S = 400 mA (Note 1)
NDS7002
A
0.88
1.2
Note:
1. Pulse Test: Pulse Width < 300s, Duty Cycle < 2.0%.
2N7000.SAM Rev. A1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N7000J18Z 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2N7000L-T92-R 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000-T92-K 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000-T92-R 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000L 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA
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參數(shù)描述
2N7000-D74Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:200mA（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 基本零件編號:2N7000 標準包裝:1
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2N7000G 功能描述:MOSFET 60V 200mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7000-G 功能描述:MOSFET 60V 5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7000-G P002 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-Channel MOSFET
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