參數(shù)資料
型號(hào)： 2N7000D74Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
文件頁(yè)數(shù)： 7/14頁(yè)
文件大?。?/td> 746K
代理商： 2N7000D74Z
Electrical Characteristics T
A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Conditions
Typ
e
Min
Typ
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
BV
DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
V
GS = 0 V, ID = 10 A
All
60
V
I
DSS
Zero Gate Voltage Drain Current
V
DS = 48 V, VGS = 0 V
2N7000
1
A
T
J=125°C
1
mA
V
DS = 60 V, VGS = 0 V
2N7002
NDS7002A
1
A
T
J=125°C
0.5
mA
I
GSSF
Gate - Body Leakage, Forward
V
GS = 15 V, VDS = 0 V
2N7000
10
nA
V
GS = 20 V, VDS = 0 V
2N7002
NDS7002A
100
nA
I
GSSR
Gate - Body Leakage, Reverse
V
GS = -15 V, VDS = 0 V
2N7000
-10
nA
V
GS = -20 V, VDS = 0 V
2N7002
NDS7002A
-100
nA
ON CHARACTERISTICS (Note 1)
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
DS = VGS, ID = 1 mA
2N7000
0.8
2.1
3
V
DS = VGS, ID = 250 A
2N7002
NDS7002A
1
2.1
2.5
R
DS(ON)
Static Drain-Source On-Resistance V
GS = 10 V, ID = 500 mA
2N7000
1.2
5
T
J =125°C
1.9
9
V
GS = 4.5 V, ID = 75 mA
1.8
5.3
V
GS = 10 V, ID = 500 mA
2N7002
1.2
7.5
T
J =100°C
1.7
13.5
V
GS = 5.0 V, ID = 50 mA
1.7
7.5
T
J =100C
2.4
13.5
V
GS = 10 V, ID = 500 mA
NDS7002
A
1.2
2
T
J =125°C
2
3.5
V
GS = 5.0 V, ID = 50 mA
1.7
3
T
J =125°C
2.8
5
V
DS(ON)
Drain-Source On-Voltage
V
GS = 10 V,
I
D = 500 mA
2N7000
0.6
2.5
V
GS = 4.5 V,
I
D = 75 mA
0.14
0.4
V
GS = 10 V,
I
D = 500mA
2N7002
0.6
3.75
V
GS = 5.0 V,
I
D = 50 mA
0.09
1.5
V
GS = 10 V,
I
D = 500mA
NDS7002A
0.6
1
V
GS = 5.0 V,
I
D = 50 mA
0.09
0.15
2N7000.SAM Rev. A1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N7000J18Z 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2N7000L-T92-R 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000-T92-K 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000-T92-R 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000L 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA
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參數(shù)描述
2N7000-D74Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200mA（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 基本零件編號(hào):2N7000 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2N7000-D75Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200mA（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 基本零件編號(hào):2N7000 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2N7000G 功能描述:MOSFET 60V 200mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7000-G 功能描述:MOSFET 60V 5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7000-G P002 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-Channel MOSFET
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