參數(shù)資料
型號(hào)： 2N7000J05Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： TO-92, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 10/14頁(yè)
文件大小： 746K
代理商： 2N7000J05Z
2N7000.SAM Rev. A1
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.925
0.95
0.975
1
1.025
1.05
1.075
1.1
T , JUNCTION TEM PERATURE (°C)
DRAIN-SOURCE
BREAKDO
WN
VOLTAG
E
J
BV
,
NORMALIZED
DSS
I
= 250A
D
0 .2
0 .4
0 .6
0 .8
1
1 .2
1 .4
0 .001
0 .005
0 .01
0 .05
0 .1
0 .5
1
2
V
, BODY DIODE FORWA RD VOLTAGE (V)
I
,
REVERSE
DR
A
IN
CURRENT
(A)
V
= 0V
GS
T = 125° C
J
SD
S
25° C
-55° C
0
0 .4
0 .8
1 .2
1 .6
2
0
2
4
6
8
10
Q
, GATE CHARGE (nC)
V
,
GAT
E-SO
URCE
VOLTAGE
(V)
g
GS
I
=500 mA
D
V
= 25V
DS
115 mA
280 mA
1
2
3
5
10
20
30
50
1
2
5
10
20
40
60
V
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
CAPACITANCE
(pF)
DS
C iss
f = 1 MH z
V
= 0V
GS
C oss
C rss
G
D
S
VDD
R
L
V
IN
OUT
V
GS
DUT
R
GEN
10%
50%
90%
10%
90%
50%
Input, Vin
Output, Vout
t on
toff
td(off)
t f
tr
t d(on)
Inverted
10%
Pulse Width
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
with Temperature
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation with
Figure 9. Capacitance Characteristics
Figure 10. Gate Charge Characteristics
Figure 11.
Figure 12. Switching Waveforms
Typical Electrical Characteristics (continued)
2N7000 / 2N7002 /NDS7002A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N7002D87Z 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
2N7000D74Z 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000J18Z 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2N7000L-T92-R 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000-T92-K 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N7000K 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:N Channel MOSFET ESD Protected 2000V
2N7000KL 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
2N7000KL 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:MOSFET N TO-92
2N7000KL-TR1 功能描述:MOSFET 60V (DS) .47A .8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7000KL-TR1-E3 功能描述:MOSFET 60V (DS) .47A .8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*