參數(shù)資料
型號： 2N7002CSM-QR-B
廠商： SEMELAB LTD
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC1-3
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 174K
代理商： 2N7002CSM-QR-B
N-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE MOSFET
2N7002CSM
Semelab L
Semelab Limited
imited
Coventry Road, Lutterworth, Leicestershire, LE17 4JB
Telephone +44 (0) 1455 556565
Fax +44 (0) 1455 552612
Email: sales@semelab-tt.com
Website: http://www.semelab-tt.com
Document Number 8550
Issue 1
Page 2 of 3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise stated)
Symbols
Parameters
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
BVDSS
Drain-Source Breakdown
Voltage
VGS = 0
ID = 10A
60
V
ID = 250A
VDS ≥ VGS
1.0
2.5
VGS(th)
Gate Threshold Voltage
ID = 1.0mA
TA = -55°C
2.5
V
IGSS
Gate-Source Leakage Current
VGS = ±20V
VDS = 0V
±100
nA
VGS = 0
VDS = 60V
1.0
IDSS
Zero Gate Voltage
Drain Current
TA = 125°C
500
A
VGS = 5V
ID = 50mA
1.5
VDS(on)
(2)
Static Drain-Source
On-State Voltage
VGS = 10V
ID = 0.5A
3.75
V
VGS = 5V
ID = 50mA
7.5
TA = 125°C
13.5
VGS = 10V
ID = 0.5A
7.5
RDS(on)
(2)
Static Drain-Source
On-State Resistance
TA = 125°C
13.5
gfs
(2)
Forward Transconductance
VDS = 10V
ID = 0.2A
80
m
VSD
(2)
Body Diode Forward Voltage
VGS = 0
IS = 0.2A
0.7
1.2
V
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Ciss
Input Capacitance
VGS = 0
50
Coss
Output Capacitance
VDS = 25V
25
Crss
Reverse Transfer Capacitance
f = 1.0MHz
5
pF
td(on)
Turn-On Delay Time
VDD = 30V
20
td(off)
Turn-Off Delay Time
ID = 2.0A
RG = 50
20
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N7002DCSM-JQR-A 115 mA, 60 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2N7002DCSM-JQR 115 mA, 60 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2N7002DWT/R7 115 mA, 60 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2N7002E-E3 240 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236
2N7002FN3T/R 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N7002-D87Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:115mA（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:200mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 基本零件編號:2N7002 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2N7002DCSM 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR
2N7002DSPT 制造商:CHENMKO 制造商全稱:Chenmko Enterprise Co. Ltd. 功能描述:Dual N-Channel Enhancement MOS FET
2N7002DW 功能描述:MOSFET N-Chan Enhancement Mode Field Effect RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7002DW _R1 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
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