參數(shù)資料
型號(hào)： 2N7002PW
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET
中文描述： 310 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： PLASTIC, SC-70, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/15頁(yè)
文件大?。?/td> 148K
代理商： 2N7002PW
1.
Product profile
1.1 General description
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT323
(SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET
technology.
1.2 Features and benefits
AEC-Q101 qualified
Logic-level compatible
Trench MOSFET technology
Very fast switching
1.3 Applications
High-speed line driver
Low-side loadswitch
Relay driver
Switching circuits
1.4 Quick reference data
Table 1.
Symbol
V
DS
[1]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for drain 1 cm
2
.
2N7002PW
60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET
Rev. 02 — 29 July 2010
Product data sheet
Quick reference data
Parameter
drain-source
voltage
gate-source
voltage
drain current
Conditions
T
amb
= 25 °C
Min
-
Typ
-
Max
60
Unit
V
V
GS
-20
-
20
V
I
D
Static characteristics
R
DSon
V
GS
= 10 V; T
amb
= 25 °C
[1]
-
-
310
mA
drain-source
on-state
resistance
V
GS
= 10 V; I
D
= 500 mA;
T
j
= 25 °C; t
p
≤
300 μs; pulsed;
δ ≤
0.01
-
1
1.6
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PDF描述
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