參數(shù)資料
型號： 2N7633M2
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 800 mA, 60 V, 4 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： HERMETIC SEALED, FLAT PACK-14
文件頁數(shù)： 5/16頁
文件大?。?/td> 316K
代理商： 2N7633M2
www.irf.com
13
Pre-Irradiation
IRHLA7670Z4, 2N7633M2
P-Channel
Q2,Q4
Fig 28. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-SourceVoltage
Fig 27. Typical Capacitance
Vs.Drain-to-SourceVoltage
Fig 30. Maximum Drain Current Vs.
CaseTemperature
Fig 29. Typical Source-Drain Diode
ForwardVoltage
1
10
100
-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0
40
80
120
160
200
240
C
,C
ap
ac
ita
nc
e
(p
F
)
VGS = 0V,
f = 1 MHz
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Coss
Crss
Ciss
25
50
75
100
125
150
TC , Case Temperature (°C)
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
-I
D
,
D
ra
in
C
ur
re
nt
(A
)
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-VSD , Source-to-Drain Voltage (V)
0.10
1
10
-I
S
D
,
R
ev
er
se
D
ra
in
C
ur
re
nt
(A
)
VGS = 0V
TJ = 150°C
TJ = 25°C
00.5 11.522.5 33.544.5 5
QG, Total Gate Charge (nC)
0
2
4
6
8
10
12
-V
G
S
,G
at
e-
to
-S
ou
rc
e
V
ol
ta
ge
(V
)
VDS= -48V
VDS= -30V
VDS= -12V
ID = -0.56A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 35
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PDF描述
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2N7636-GA 功能描述:兩極晶體管 - BJT SiC High Temp SJT 650V 4A 225 Degree C RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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