參數(shù)資料
型號： 2N7633M2
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 800 mA, 60 V, 4 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： HERMETIC SEALED, FLAT PACK-14
文件頁數(shù)： 8/16頁
文件大?。?/td> 316K
代理商： 2N7633M2
IRHLA7670Z4, 2N7633M2
Pre-Irradiation
16
www.irf.com
Total Dose Irradiation with VGS Bias.
10 volt VGS applied and VDS = 0 during
irradiation per MIL-STD-750, method 1019, condition A
Total Dose Irradiation with VDS Bias.
48 volt VDS applied and VGS = 0 during
irradiation per MlL-STD-750, method 1019, condition A
VDD = -25V, starting TJ = 25°C, L= 166mH,
Peak IL = -0.56A, VGS = -10V
ISD ≤ -0.56A, di/dt ≤ -161A/s,
VDD ≤ -60V, TJ ≤ 150°C
Repetitive Rating; Pulse width limited by
maximum junction temperature.
VDD = 25V, starting TJ = 25°C, L= 50mH,
Peak IL = 0.8A, VGS = 10V
ISD ≤ 0.8A, di/dt ≤ 230A/s,
VDD ≤ 60V, TJ ≤ 150°C
Pulse width ≤ 300 s; Duty Cycle ≤ 2%
Footnotes:
IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
IR LEOMINSTER : 205 Crawford St., Leominster, Massachusetts 01453, USA Tel: (978) 534-5776
TAC Fax: (310) 252-7903
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Data and specifications subject to change without notice. 03/2008
±
Case Outline and Dimensions — 14 Lead FlatPack
LEAD ASSIGNMENT
LEGEND
D = DRAIN, S = SOURCE , G = GATE, NC = NO CONNECTION
CHANNELS
N Channel = Q1 and Q3, P Channel = Q2 and Q4
D4
S4
G4
NC
S3
Q1
Q4
Q2
Q3
G3
D3
D1
S1
G1
D2
S2
G2
NC
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2N7636-GA 功能描述:兩極晶體管 - BJT SiC High Temp SJT 650V 4A 225 Degree C RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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