參數(shù)資料
型號： 2N7633M2
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 800 mA, 60 V, 4 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： HERMETIC SEALED, FLAT PACK-14
文件頁數(shù)： 7/16頁
文件大?。?/td> 316K
代理商： 2N7633M2
www.irf.com
15
Pre-Irradiation
IRHLA7670Z4, 2N7633M2
P-Channel
Q2,Q4
Fig 34b. Unclamped Inductive Waveforms
Fig 34a. Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V(BR)DSS
IAS
RG
IAS
0.01
tp
D.U.T
L
VDS
VDD
DRIVER
A
15V
-20V
.
VGS
Fig 35b. Gate Charge Test Circuit
Fig 35a. Basic Gate Charge Waveform
D.U.T.
VDS
ID
IG
-3mA
VGS
.3
F
50K
.2
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
QG
QGS
QGD
VG
Charge
-4.5V
VDS
90%
10%
VGS
td(on)
tr
td(off) tf
VDS
Pulse Width ≤ 1 s
Duty Factor ≤ 0.1 %
RD
VGS
VDD
RG
D.U.T.
+
-
VGS
Fig 36a. Switching Time Test Circuit
Fig 36b. Switching Time Waveforms
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2N7636-GA 功能描述:兩極晶體管 - BJT SiC High Temp SJT 650V 4A 225 Degree C RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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