參數(shù)資料
型號： 2PA1774SM
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 雙極晶體管
英文描述： PNP general purpose transistor
中文描述： PNP通用型晶體管
封裝： 2PA1774QM<SOT883 (SOT883)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT883.html<1<Always Pb-free,;2PA1774RM<SOT883 (SOT883)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT883.html<1<Always P
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代理商： 2PA1774SM
2004 Feb 19
5
NXP Semiconductors
Product data sheet
PNP general purpose transistor
2PA1774M series
handbook, halfpage
MDB665
IC (mA)
10
1
1
10
10
2
10
3
3
VCEsat
(mV)
10
2
10
(1)
(3)
(2)
Fig.4
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
handbook, halfpage
(mV)
1000
MDB666
400
200
600
800
10
1
1
10
10
2
IC (mA)
(1)
(3)
(2)
Fig.5
Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
=
55
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 150
°
C.
handbook, halfpage
IC
(A)
0.16
0
6
2
8
10
VCE (V)
4
0
0.12
0.04
0.08
MDB667
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(7)
(8)
(9)
(10)
(6)
Fig.6
Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values.
(1) I
B
=
2.7 mA.
(2) I
B
=
2.43 mA.
(3) I
B
=
2.16 mA.
(4) I
B
=
1.89 mA.
(5) I
B
=
1.62 mA.
(6) I
B
=
1.35 mA.
(7) I
B
=
1.08 mA.
(8) I
B
=
0.81 mA.
(9) I
B
=
0.54 mA.
(10) I
B
=
0.27 mA.
MDB668
IC (mA)
10
1
1
10
10
2
10
3
RCEsat
(
Ω
)
10
3
10
2
10
1
(2)
(3)
(1)
Fig.7
Collector-emitter equivalent on-resistance
as a function of collector current; typical
values.
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
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