參數(shù)資料
型號(hào)： 2PB1219AQ
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 雙極晶體管
英文描述： PNP general purpose transistor
中文描述： PNP通用型晶體管
封裝： 2PB1219AQ<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,;2PB1219AQ<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 20
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 197K
代理商： 2PB1219AQ
1999 Apr 12
2
NXP Semiconductors
Product data sheet
PNP general purpose transistor
2PB1219A
FEATURES
High current (max. 500 mA)
Low voltage (max. 50 V)
Low collector-emitter saturation voltage (max. 600 mV).
APPLICATIONS
General purpose switching and amplification.
DESCRIPTION
PNP transistor in a SOT323; SC70 plastic package.
NPN complement: 2PD1820A.
MARKING
Note
1.
= - : Made in Hong Kong.
= t : Made in Malaysia.
PINNING
TYPE NUMBER
MARKING CODE
(1)
D
Q
D
R
D
S
2PB1219AQ
2PB1219AR
2PB1219AS
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base
emitter
collector
Fig.1
Simplified outline (SOT323; SC70)
and symbol.
handbook, halfpage
MAM048
Top view
2
1
3
2
3
1
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Refer to SOT323; SC70 standard mounting conditions.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
60
50
5
500
1
200
200
+150
150
+150
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
open base
open collector
65
65
V
V
V
mA
A
mA
mW
°
C
°
C
°
C
T
amb
≤
25
°
C; note 1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2PB1219AR PNP general purpose transistor
2PB709ARL 45 V, 100 mA PNP general-purpose transistors
2PB709ASL 45 V, 100 mA PNP general-purpose transistors
2PB709ART 45 V, 100 mA PNP general-purpose transistor
2PB709ASW PNP general purpose transistors
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參數(shù)描述
2PB1219AQ /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PB1219AQ T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PB1219AQ,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PB1219AQ,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PB1219AQ115 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
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