參數(shù)資料
型號： 2PB1219AQ
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 雙極晶體管
英文描述： PNP general purpose transistor
中文描述： PNP通用型晶體管
封裝： 2PB1219AQ<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,;2PB1219AQ<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 20
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 197K
代理商： 2PB1219AQ
1999 Apr 12
3
NXP Semiconductors
Product data sheet
PNP general purpose transistor
2PB1219A
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Refer to SOT323; SC70 standard mounting conditions.
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ
≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
625
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
100
5
100
UNIT
I
CBO
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
=
20 V
I
E
= 0; V
CB
=
20 V; T
j
= 150
°
C
I
C
= 0; V
EB
=
4 V
I
C
=
150 mA; V
CE
=
10 V; note 1
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
emitter cut-off current
DC current gain
2PB1219AQ
2PB1219AR
2PB1219AS
DC current gain
collector-emitter saturation voltage
base-emitter saturation voltage
collector capacitance
transition frequency
2PB1219AQ
2PB1219AR
2PB1219AS
85
120
170
40
170
240
340
600
1.5
15
h
FE
V
CEsat
V
BEsat
C
c
f
T
I
C
=
500 mA; V
CE
=
10 V; note 1
I
C
=
300 mA; I
B
=
30 mA; note 1
IC =
300 mA; IB =
30 mA; note 1
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10 V; f = 1 MHz
I
C
= 50 mA; V
CE
=
10 V;
f = 100 MHz; note 1
mV
V
pF
100
120
140
MHz
MHz
MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2PB1219AR PNP general purpose transistor
2PB709ARL 45 V, 100 mA PNP general-purpose transistors
2PB709ASL 45 V, 100 mA PNP general-purpose transistors
2PB709ART 45 V, 100 mA PNP general-purpose transistor
2PB709ASW PNP general purpose transistors
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參數(shù)描述
2PB1219AQ /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PB1219AQ T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PB1219AQ,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PB1219AQ,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PB1219AQ115 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
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