參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA0794
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planar type
中文描述： 0.5 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： ROHS COMPLIANT, TO-126B-A1, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 101K
代理商： 2SA0794
2SA0794, 2SA0794A
2
SJD00001BED
I
C
V
BE
V
CE(sat)
I
C
V
BE(sat)
I
C
P
C
T
a
I
C
V
CE
I
C
I
B
h
FE
I
C
f
T
I
E
C
ob
V
CB
0
160
40
120
80
0
1.6
1.2
0.8
0.4
C
C
Ambient temperature T
a
(
°
C)
0
0
12
2
10
4
8
6
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
T
C
=
25
°
C
I
B
=
20 mA
2 mA
4 mA
6 mA
8 mA
18 mA
16 mA
14 mA
10 mA
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
0
0
4
8
12
2
6
14
10
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
V
CE
=
10 V
T
C
=
25
°
C
Base current I
B
(mA)
C
C
0
0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
V
CE
=
10 V
T
a
=
125
°
C
25
°
C
75
°
C
Base-emitter voltage V
BE
(V)
C
C
0.01
0.1
1
0.01
0.1
1
I
C
/ I
B
=
10
T
C
=
100
°
C
25
°
C
25
°
C
C
C
Collector current I
C
(A)
0.01
0.01
0.1
1
0.1
1
I
C
/ I
B
=
10
T
C
=
25
°
C
25
°
C
100
°
C
B
B
Collector current I
C
(A)
10
0.01
1
000
100
0.1
1
V
CE
=
10 V
T
C
=
100
°
C
25
°
C
25
°
C
F
F
Collector current I
C
(A)
1
10
100
0
40
80
120
200
160
V
CB
=
10 V
f
=
200 MHz
T
C
=
25
°
C
T
T
Emitter current I
E
(mA)
1
10
100
0
50
40
30
20
10
I
E
=
0
f
=
1 MHz
T
C
=
25
°
C
C
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA0794A Silicon PNP epitaxial planar type
2SA794 Silicon PNP epitaxial planar type
2SA794A Silicon PNP epitaxial planar type
2SA0838 Shrink Tubing; Tubing Size Diameter:0.25"; Wall Thickness Recovered Nominal:0.047"; Inner Diameter Max Recovered:0.080"; Expanded Inner Diameter:0.250"; Material:Polyolefin
2SA838 Silicon PNP epitaxial planer type(For high-frequency amplification Complementary to 2SC1359)
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參數(shù)描述
2SA0794(2SA794) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Power Device - Power Transistors - Others
2SA0794/2SA0794A(2SA794/2SA794A) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2SA0794. 2SA0794A (2SA794. 2SA794A) - PNP Transistor
2SA07940R 功能描述:TRANS PNP 100VCEO .5A TO-126 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA0794A 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type
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