參數(shù)資料
型號： 2SA1977
廠商： NEC Corp.
英文描述： PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER
中文描述： 進步黨外延硅晶體管微波放大器
文件頁數(shù)： 1/12頁
文件大?。?/td> 58K
代理商： 2SA1977
Silicon Transistor
2SA1977
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
MICROWAVE AMPLIFIER
1996
Document No. P10925EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published April 1996 P
Printed in Japan
PRELIMINARY DATA SHEET
FEATURES
High f
T
PACKAGE DIMENSION (in millimeters)
f
T
= 8.5 GHz TYP.
High gain
| S
21e
|
2
= 12.0 dB TYP. @f = 1.0 GHz, V
CE
=
8 V, I
C
=
20 mA
High-speed switching characterstics
Equivalent NPN transistor is the 2SC3583.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25
°
C)
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector to Base Voltage
V
CB0
20
V
Collector to Emitter Voltage
V
CE0
12
V
Emitter to Base Voltage
V
EB0
3.0
V
Collector Current
I
C
50
mA
Total Power Dissipation
P
T
200
mW
Junction Temperature
T
j
150
°
C
Storage Temperature
T
stg
65 to +150
°
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
°
C)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Collector Cutoff Current
I
CB0
V
CB
=
10 V
0.1
μ
A
Emitter Cutoff Current
I
EB0
V
EB
=
1 V
0.1
μ
A
DC Current Gain
h
FE
V
CE
=
8 V, I
C
=
20 mA
20
100
Gain Bandwidth Product
f
T
V
CE
=
8 V, I
C
=
20 mA, f = 1 GHz
6.0
8.5
GHz
Collector Capacitance
C
re
*
V
CB
=
10 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
0.5
1
pF
Insertion Power Gain
| S
21e
|
2
V
CE
=
8 V, I
C
=
20 mA, f = 1.0 GHz
8.0
12.0
dB
Noise Figure
NF
V
CE
=
8 V, I
C
=
3 mA, f = 1 GHz
1.5
3
dB
*
Mesured by a 3-terminal bridge. Emitter and Case should be connected to the guard terminal.
h
FE
Classification
Rank
FB
Marking
T92
h
FE
20 to 100
2.8+0.2
_
1.5
0.65
+0.1
2
1
3
2
_
0
0
0
+
–
0
+
–
Marking
0
+
–
0
1
0
PIN CONNECTIONS
1: Emitter
2: Base
3: Collector Marking; T92
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PDF描述
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參數(shù)描述
2SA1977-A 功能描述:TRANS RF PNP 12V 0.05A SOT-23 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8.5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.5dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 20mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:- 標準包裝:1
2SA1977-L-A 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:GP BJT
2SA1977-T1B-A 功能描述:RF TRANSISTOR PNP SOT-23 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8.5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.5dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 20mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標準包裝:3,000
2SA1977-T1B-A-FB 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SA1978-A 功能描述:RF TRANSISTOR PNP SOT-23 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:5.5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:2dB @ 1GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 15mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:- 標準包裝:1
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