參數(shù)資料
型號： 2SA1977
廠商： NEC Corp.
英文描述： PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER
中文描述： 進步黨外延硅晶體管微波放大器
文件頁數(shù)： 11/12頁
文件大?。?/td> 58K
代理商： 2SA1977
11
2SA1977
S-PARAMETER
(V
CE
= 8 V, I
C
= 20 mA, Zo = 50
)
f
S
11
S
21
S
12
S
22
MHz
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
100
0.310
47.6
82.1
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125
140
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163
173
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144.
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37.8
43.1
45.1
45.7
45.8
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47.3
47.9
49.1
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55.6
57.0
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70.0
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77.5
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123.
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0.171
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2SA1977-L-A 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:GP BJT
2SA1977-T1B-A 功能描述:RF TRANSISTOR PNP SOT-23 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8.5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.5dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 20mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
2SA1977-T1B-A-FB 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SA1978-A 功能描述:RF TRANSISTOR PNP SOT-23 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:5.5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:2dB @ 1GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 15mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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