參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA2154
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) General-Purpose Amplifier Applications
中文描述： 硅外延式進(jìn)步黨（厘進(jìn)程）通用放大器應(yīng)用
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 141K
代理商： 2SA2154
2SA2154
2005-03-23
2
IC - VCE
-0
0
-20
-40
-60
-80
-100
-120
-0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
0
IB = -0.1mA
-0.2
-0.3
-0.5
-0.7
-1.0
-1.5
-2.0
PC - Ta
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
20
40
60
80
100
120
140
160
hFE - IC
10
100
1000
-0.1
-1
-10
-100
-25
25
Ta = 100°C
VCE(sat) - IC
-0.01
-0.1
-1
-0.1
-1
-10
-100
Ta = 100°C
-25
25
VBE(sat) - IC
-0.1
-1
-10
-0.1
-1
-10
-100
IB - VBE
-0.1
-1
-10
-100
-1000
-0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
-1.2
-1.4
B
I
Ta = 100°C
-25
25
0
C
D
C
V
B
V
C
AMBIENT TEMPERATURE Ta (°C)
BASE-EMITTER VOLTAGE VBE (V)
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)
COMMON EMITTER
VCE =
6V
VCE =
1V
COMMON EMITTER
Ta = 25°C
COMMON EMITTER
IC/IB = 10
COMMON EMITTER
IC/IB = 10
COMMON EMITTER
VCE =
6V
Ta = 100°C
25
-25
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PDF描述
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