參數(shù)資料
型號： 2SB0767
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planer type
中文描述： 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, MINIP3-F1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 38K
代理商： 2SB0767
1
Transistor
2SB767
Marking symbol
: C
Silicon PNP epitaxial planer type
For low-frequency output amplification
Complementary to 2SD875
I
Features
G
Large collector power dissipation P
C
.
G
High collector to emitter voltage V
CEO
.
G
Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
automatic insertion through the tape packing and the magazine
packing.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Base
2:Collector
3:Emitter
EIAJ:SC–62
Mini Power Type Package
4.5
±
0.1
1.6
±
0.2
2
±
0
2
±
0
0
1
+
–
4
+
–
3.0
±
0.15
1.5
±
0.1
0.4
±
0.08
0.5
±
0.08
1.5
±
0.1
0.4
±
0.04
45
°
marking
3
2
1
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C*
T
j
T
stg
Ratings
–80
–80
–5
–1
– 0.5
1
150
–55 ~ +150
Unit
V
V
V
A
A
W
C
C
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Base to emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol
I
CBO
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE1*1
h
FE2
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
C
ob
Conditions
V
CB
= –20V, I
E
= 0
I
C
= –10
μ
A, I
E
= 0
I
C
= –100
μ
A, I
B
= 0
I
E
= –10
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= –10V, I
C
= –150mA
*2
V
CE
= –5V, I
C
= –500mA
*2
I
C
= –300mA, I
B
= –30mA
*2
I
C
= –300mA, I
B
= –30mA
*2
V
CB
= –10V, I
E
= 50mA, f = 200MHz
V
CB
= –10V, I
E
= 0, f = 1MHz
min
–80
–80
–5
90
50
typ
100
– 0.2
– 0.85
120
20
max
– 0.1
330
–0.4
–1.2
30
Unit
μ
A
V
V
V
V
V
MHz
pF
*1
h
FE1
Rank classification
Rank
Q
R
S
h
FE1
90 ~ 155
130 ~ 220
185 ~ 330
Marking Symbol
CQ
CR
CS
*
Printed circuit board: Copper foil area of 1cm
2
or more, and the board
thickness of 1.7mm for the collector portion
*2
Pulse measurement
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PDF描述
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2SB07670QL 功能描述:TRANS PNP 80VCEO .5A MINI PWR RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB07670RL 功能描述:TRANS PNP 80VCEO .5A MINI PWR RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB0767Q 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-62
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