參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB0767
廠商： PANASONIC CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planer type
中文描述： 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, MINIP3-F1, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 38K
代理商： 2SB0767
2
Transistor
2SB767
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
1.4
1.2
0.4
1.0
0.8
0.2
0.6
Printed circut board: Copper
foil area of 1cm
2
or more, and
the board thickness of 1.7mm
for the collector portion.
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
–10
–8
–2
–6
–4
0
–1.2
–1.0
– 0.8
– 0.6
– 0.4
– 0.2
Ta=25C
I
B
=–10mA
–1mA
–2mA
–3mA
–4mA
–5mA
–6mA
–7mA
–8mA
–9mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
–1
–10
–100
–1000
–3
–30
–300
– 0.001
– 0.003
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
I
C
/I
B
=10
25C
–25C
Ta=75C
Collector current I
C
(mA)
C
C
–1
–10
–100
–1000
–3
–30
–300
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
I
C
/I
B
=10
Ta=–25C
25C
75C
Collector current I
C
(mA)
B
B
–1
–10
–100
–1000
–3
–30
–300
0
300
250
200
150
100
50
V
CE
=–10V
Ta=75C
25C
–25C
Collector current I
C
(mA)
F
F
1
3
10
30
100
0
200
160
120
80
40
180
140
100
60
20
V
=–10V
Ta=25C
Emitter current I
E
(mA)
T
T
–1
Collector to base voltage V
CB
(V)
–3
–10
–30
–100
0
50
40
30
20
10
45
35
25
15
5
I
=0
f=1MHz
Ta=25C
C
o
– 0.1
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
–1
–10
–100
– 0.3
–3
–30
– 0.001
– 0.003
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
Single pulse
Ta=25C
t=10ms
t=1s
I
CP
I
C
C
C
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
V
CE(sat)
— I
C
V
BE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
E
C
ob
— V
CB
Area of safe operation (ASO)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB767 Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency output amplification)
2SB0774 Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency amplification)
2SB774 Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency amplification)
2SB0779 For low-frequency output amplification
2SB0788 For High Breakdown Voltage Low-noise Amplification
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB0767(2SB767) 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:小信號(hào)デバイス － 小信號(hào)トランジスタ － 汎用低周波増幅
2SB07670QL 功能描述:TRANS PNP 80VCEO .5A MINI PWR RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR
2SB07670RL 功能描述:TRANS PNP 80VCEO .5A MINI PWR RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR
2SB0767Q 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-62
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*