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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1326TV2R |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ATV, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大小： | 107K |
| 代理商： | 2SB1326TV2R |
2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326
Transistors
Rev.A
4/4
Fig.10 Collector-emitter saturation
voltage vs. collector current ( )
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(V)
COLLECTOR CURRENT : IC
(A)
1 2 5 10
0.010.02
0.1 0.2 0.5
0.05
2m 5m
0.01
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
5
25
°C
lC/lB
=50
25
°C
Ta
=100°C
Fig.11 Gain bandwidth product
vs. emitter current
EMITTER CURRENT : IE
(mA)
TRANSEITION
FREQUENCY
:
f
T
(MHz)
1
2
5
10
50 100 200
500
20
50
100
200
500
1 000
10
5
2
1
1000
Ta
=25
°C
VCE
= 6V
Fig.12 Collector output capacitance
vs. collector-base voltage
COLLECTOR
OUTPUT
CAPACITANCE
:
Cob
(pF)
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB
(V)
0.1 0.2 0.5 1 2
5 10 20 50
1000
500
200
100
50
10
20
Ta
=25
°C
f
=1MHz
IE
=0A
Fig.13 Emitter input capacitance
vs. emitter-base voltage
EMITTER
INTPUT
CAPACITANCE
:
Cib
(pF)
EMITTER TO BASE VOLTAGE : VEB
(V)
10
20
50
100
200
500
1000
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
Ta
=25
°C
f
=1MHz
IC
=0A
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE :
VCE (V)
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
0.2 0.5 12
5 10 20
50 100
500
200
50
5
20
2
10
1
200m
100m
50m
20m
10m
500m
100
Fig.14 Safe operation area
F(2SB1412)
DC
Ta
=25°C
Single
nonrepetitive
pulse
Pw
=
10ms
Pw
=
100ms
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1326TV2/Q | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SB1329T105R | 1 A, 32 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1329T105P | 1 A, 32 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1335A/F | 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1333 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1333N | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1341 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANSISTOR TO-220AB -480V -4A 40W BCE |
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| 2SB1346 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-220AB -60V -3A 30W BCE |
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