參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1462J
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： For general amplification
中文描述： 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F1, SC-89, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 67K
代理商： 2SB1462J
2SB1462J
2
SJC00087BED
I
C
V
BE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
P
C
T
a
I
C
I
B
I
B
V
BE
C
ob
V
CB
0
160
40
120
80
140
20
Ambient temperature T
a
(
°
C)
100
60
0
150
125
100
75
50
25
C
C
0
360
300
240
60
180
120
0
120
100
80
60
40
20
V
CE
=
10 V
T
a
=
25
°
C
Base current I
B
(
μ
A)
C
C
0
1.2
1.0
0.8
0.2
Base-emitter voltage V
BE
(V)
0.6
0.4
0
1200
1000
800
600
400
200
V
CE
=
10 V
T
a
=
25
°
C
B
B
μ
A
0
1.2
1.0
0.8
0.2
Base-emitter voltage V
BE
(V)
0.6
0.4
0
120
100
80
60
40
20
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
C
C
1
10
100
1000
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
/ I
B
=
10
25
°
C
T
a
=
75
°
C
25
°
C
C
C
Collector current I
C
(mA)
1
10
100
1000
0
360
300
240
180
120
60
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
F
F
Collector current I
C
(mA)
1
10
100
0
6
5
4
3
2
1
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
Collector-base voltage V
CB
(V)
C
o
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1462L For General Amplification
2SB1462 Silicon PNP epitaxial planer type
2SB1463 Silicon PNP epitaxial planer type(For high breakdown voltage low-noise amplification)
2SB1470 For Power Amplification
2SB1481 TRANSISTOR (SWITCHING APPLICATIONS)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1462J0L 功能描述:TRANS PNP LF 50VCEO .1A SS-MINI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1463GRL 功能描述:TRANS PNP 150VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1463JRL 功能描述:TRANS PNP 150VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1472-E 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS DARL PNP 60V 7A TO-220MF
2SB1474TL 功能描述:達(dá)林頓晶體管 DARL PNP 80V 4A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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