參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1691
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Silicon PNP Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier
中文描述： 硅外延刨床進(jìn)步黨低頻功率放大器
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 77K
代理商： 2SB1691
Rev.2.00, Dec.09.2004, page 1 of 4
2SB1691
Silicon PNP Epitaxial Planer
Low Frequency Power Amplifier
REJ03G0482-0200
(Previous ADE-208-1387A (Z))
Rev.2.00
Dec.09.2004
Features
Small size package: MPAK (SC–59A)
Large Maximum current: I
C
= –1 A
Low collector to emitter saturation voltage: V
CE(sat)
= –0.3 V max.(at I
C
/I
B
= –0.5 A/–0.05 A)
High power dissipation: P
C
= 800 mW (when using alumina ceramic board (25 x 60 x 0.7 mm))
Complementary pair with 2SD2655
Outline
1
2
3
1. Emitter
2. Base
3. Collector
MPAK
Note:
Marking is “WL-“.
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Unit
V
V
V
A
A
mW
°
C
°
C
Item
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
ic(peak)
P
C
Tj
Tstg
Ratings
60
50
–6
–1
–2
800*
150
55 to +150
Collector to base Voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Collector current
Collector peak current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Note:
*When using alumina ceramic board (25 x 60 x 0.7 mm)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1691WL Silicon PNP Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier
2SB1693 Silicon PNP epitaxial planar type
2SB177 GE PNP ALLOY JUNCTION
2SB172 GE PNP ALLOY JUNCTION
2SB176 GE PNP ALLOY JUNCTION
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參數(shù)描述
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2SB169300L 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 500MA MINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1694T106 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 1A SOT-323 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1695KT146 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1695TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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