參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1691
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Silicon PNP Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier
中文描述： 硅外延刨床進(jìn)步黨低頻功率放大器
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 77K
代理商： 2SB1691
2SB1691
Rev.2.00, Dec.09.2004, page 2 of 4
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
Min
–60
–50
–6
200
Typ
Max
–100
–100
500
Unit
V
V
V
nA
nA
Test Condition
I
C
= –10
μ
A, I
E
= 0
I
C
= –1 mA, R
BE
=
∞
I
E
= –10
μ
A, I
C
= 0
V
CB
= –50 V, I
E
= 0
V
EB
= –5 V, I
C
= 0
V
CE
= –2 V, I
C
= –0.1 A
I
C
= –0.5 A, I
B
= –0.05 A,
Pulse test
I
C
= –0.5 A, I
B
= –0.05 A,
Pulse test
V
CE
= –2 V, I
C
= –0.1 A
V
CB
= –10 V, I
E
= 0,
f = 1 MHz
Collector to base breakdown voltage
Collector to emitter breakdown voltage
Emitter to base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
DC current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
V
CE(sat)
–0.2
–0.3
V
Base to emitter saturation voltage
V
BE(sat)
–0.95
–1.2
V
Gain bandwidth product
f
T
310
MHz
Collector output capacitance
Cob
9.8
pF
Main Characteristics
0
50
100
150
200
C
Maximum Collector Dissipation Curve
–0.6
–10
–100
–1
0
–0.8
Base to Emitter Voltage V
BE
(V)
C
C
Typical Transfer Characteristics
–0.2
–0.4
–1.0
0
–1.2
–0.8
C
C
0
–2
–4
–6
C
C
Typical Output Characteristics (1)
Ambient Temperature T
a
(
°
C)
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
–0.4
–1.6
–8
1200
1000
800
400
200
–10
–100
–200
Pulse
Typical Output Characteristics (2)
–5mA
– mA
Pulse
–1000
V
CE
= –2 V
Pulse
–250
μ
A
–200
μ
A
–150
μ
A
–100
μ
A
–300
μ
A
I
B
= –50
μ
A
–350
μ
A
–2.0
I
B
= –1 mA
–2 mA
–3 mA
–4 mA
–6mA
–100
–200
–300
–400
–500
When using alumina ceramic board
S = 25 mm x 60 mm, t = 0.7 mm
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SB169300L 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 500MA MINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1694T106 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 1A SOT-323 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1695KT146 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1695TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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