參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5865TLR
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： TSMT3, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 931K
代理商： 2SC5865TLR
2/3
www.rohm.com
○
c
2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2011.03 - Rev.A
Data Sheet
2SC5865
Electrical characteristics (Ta=25
C)
Parameter
Symbol
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)
fT
hFE
Cob
ton
Min.
6
120
250
10
50
1.0
200
500
390
IE=100
μA
VCE
=2V, IC=100mA
VCB
=40V
VEB
=4V
IC
=500mA, IB=50mA
IC
=1A,
IB1
=100mA
IB2
=
100mA
VCC 25V
VCE
=10V, IE=
100mA, f=10MHz
VCB
=10V, IE=0mA, f=1MHz
V
μA
MHz
mV
pF
ns
tstg
130
ns
tf
50
ns
Typ.
Max.
Unit
Conditions
BVCBO
60
V
IC
=100
μA
Collector-base breakdown voltage
Collector cut-off current
DC current gain
Transistor frequency
Collector output capacitance
Turn-on time
Storage time
Fall time
Emitter cut-off current
Collector-emitter saturatioin voltage
BVCEO
60
IC
=1mA
V
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
2
1
1 Non repetitive pulse
2 See switching characteristics measurement circuits
hFE RANK
QR
120-270
180-390
Electrical characteristic curves
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(mA)
5
1234
0
40
80
120
160
200
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE
(V)
Fig.1 Typical output characteristics
IB=500
μA
0
μA
50
μA
100
μA
150
μA
200
μA
250
μA
300
μA
350
μA
400
μA
450
μA
1
0.01
0.1
10
1000
100
10
Fig.2 Switching Time
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
SWITCHING
TIME
(ns)
Ta
=25°C
VCC
=25V
IC/IB=10/1
Tstg
Tf
Ton
Fig.3 DC current gain
vs. collector current (
Ι )
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
DC
CURRENT
GAIN
:
hFE
0.001
0.01
0.1
10
1
10
100
1000
Ta
=125°C
Ta
=25°C
Ta
=40°C
VCE
=2V
0.001
0.01
0.1
10
1
10
100
1000
DC
CURRENT
GAIN
:
hFE
VCE
=5V
VCE
=3V
VCE
=2V
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.4 DC current gain
vs. collector current (
ΙΙ )
Ta
=25°C
0.001
0.01
0.1
0.01
0.1
10
1
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE
(sat
)(V)
COLLECTOR CURRENT : IC
(A)
10
1
Fig.5 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current (
Ι )
IC/IB
=10/1
Ta
=125°C
Ta
=25°C
Ta
=40°C
0.001
0.1
0.01
10
1
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE
(
sat)(V)
COLLECTOR CURRENT : IC
(A)
Fig.6 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current (
ΙΙ )
IC/IB
=20/1
IC/IB
=10/1
IC/IB
=100/1
Ta
=25°C
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