參數(shù)資料
型號: 2SC5865TLR
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: TSMT3, 3 PIN
文件頁數(shù): 4/4頁
文件大?。?/td> 931K
代理商: 2SC5865TLR
R1120A
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5865TLQ 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC6026-GR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC6026-Y 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC6140 1.5 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC945-O-BP 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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2SC5866TLQ/R 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
2SC5866TLR 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 60V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5867TLQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60V 3A NPN HIGH VOLT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2