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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC5949 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type |
| 中文描述： | 晶體硅npn型三重?cái)U(kuò)散型 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 140K |
| 代理商： | 2SC5949 |
2SC5949
2006-11-16
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type
2SC5949
Power Amplifier Applications
Complementary to 2SA2121
Recommended for audio frequency amplifier output stage.
Absolute Maximum Ratings
(Tc = 25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
V
CBO
200
V
Collector-emitter voltage
V
CEO
200
V
Emitter-base voltage
V
EBO
5
V
Collector current
I
C
15
A
Base current
I
B
1.5
A
Collector power dissipation
P
C
220
W
Junction temperature
T
j
150
°C
Storage temperature range
T
stg
55 to 150
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
temperature/current/voltage and the significant change in
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the
absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the
Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and
individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-21F1A
Weight: 9.75 g (typ.)
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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