參數(shù)資料
型號(hào): 2SC5975
廠商: Renesas Technology Corp.
英文描述: SILICON NPN EPITAXIAL HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER / OSCILLATOR
中文描述: 硅外延npn型高頻低噪聲放大器/振蕩器
文件頁(yè)數(shù): 1/18頁(yè)
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代理商: 2SC5975
Rev.1.00, Jul.06.2004, page 1 of 17
2SC5975
Silicon NPN Epitaxial
High Frequency Low Noise Amplifier / Oscillator
REJ03G0381-0100Z
Rev.1.00
Jul.06.2004
Features
High gain bandwidth product
f
T
= 20 GHz typ.
High power gain and low noise figure;
PG = 17.5 dB typ. , NF = 1.15 dB typ. at f = 1.8 GHz
Outline
MFPAK-4
1
4
3
2
1. Emitter
2. Collector
3. Emitter
4. Base
WU-
1
2
3
4
Note:
Marking is “WU-”.
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Unit
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
Item
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Pc
*1
Tj
Tstg
Ratings
12
4
1.5
35
200
150
–55 to +150
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Note:
1. Value on PCB ( FR-4 : 40 x 40 x 1.6mm Double side )
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PDF描述
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