參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5949
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type
中文描述： 晶體硅npn型三重?cái)U(kuò)散型
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 140K
代理商： 2SC5949
2SC5949
2006-11-16
3
12
0
8
12
16
20
4
6
8
10
0
2
4
0.1
5
0.03
10
1000
30
10
10
1
0.01
10
1
0.1
100
I
C
– V
CE
I
C
– V
BE
hFE – I
C
V
CE (sat)
– I
C
f
T
– I
C
0.5
0
8
12
16
0
1.0
2.5
100
1000
0.1
1
10
10
100
0.1
1
Safe operating area
100
4
1.5
2.0
300
500
30
50
1
3
0.3
0.1
0.03
30
10
1
3
0.3
0.01
2
0.3
0.5
1
0.1
0.03
0.05
I
B
=
20 mA
Common emitter
Tc
=
25°C
500
400
200
300
100
50
Tc
=
100°C
25
25
Common emitter
VCE
=
5 V
Tc
=
100°C
25
25
Common emitter
VCE
=
5 V
Tc
=
100°C
25
25
Common emitter
IC / IB
=
10 V
Common emitter
Tc
=
25°C
VCE
=
5 V
VCEO max
*:Single non-repetitive pulse
Tc = 25°C
Curves must be de-rated
linearly with increase in
temperature.
1 ms
*
IC max (pulsed)
*
10 ms
*
IC max (continuous)
DC operation
Tc
=
25°C
100 ms
*
T
T
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
Base-emitter voltage V
BE
(V)
C
C
Collector current I
C
(A)
D
F
Collector current I
C
(A)
Collector current I
C
(A)
C
V
C
(
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
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PDF描述
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