型號: | 2SD2642 |
廠商: | Electronic Theatre Controls, Inc. |
英文描述: | SILICON PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
中文描述: | 進步黨外延硅平面晶體管 |
文件頁數(shù): | 1/1頁 |
文件大?。?/td> | 38K |
代理商: | 2SD2642 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
2SB1691 | Silicon PNP Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier |
2SB1691WL | Silicon PNP Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier |
2SB1693 | Silicon PNP epitaxial planar type |
2SB177 | GE PNP ALLOY JUNCTION |
2SB172 | GE PNP ALLOY JUNCTION |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
2SD2643 | 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:TRANS NPN DARL 110V 6A TO3PF |
2SD2646-YD | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
2SD2652T106 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD2653KT146 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD2653TL | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |