參數(shù)資料
型號： 2SK3812-ZP
元件分類： JFETs
英文描述： 110 A, 60 V, 0.0037 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： TO-263, MP-25ZP, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 270K
代理商： 2SK3812-ZP
Data Sheet D16738EJ1V0DS
3
2SK3812
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
dT
-
Pe
rcentage
of
Rated
Powe
r-
%
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
150
175
TC - Case Temperature -
°C
P
T-
Total
Powe
r
Di
ss
ipati
on
-
W
0
50
100
150
200
250
0
25
50
75
100
125 150
175
TC - Case Temperature -
°C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
I
D
-
Dr
ain
Cur
rent
-
A
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
PW =100
s
1 ms
10 ms
ID(pulse)
ID(DC)
Power Dissipation Limited
RDS(on) Limited
(at VGS = 10 V)
TC = 25°C
Single pulse
VDS - Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
r
th(c
h-A)
-
Transient
Thermal
Resista
nce
-
°C/W
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Rth(ch-A) = 83.3°C/W
Rth(ch-C) = 0.587°C/W
Single pulse
PW - Pulse Width - s
100
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
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PDF描述
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